今天來給大家講講TFT液晶屏技術(shù)特性到底是怎么樣的，希望可以幫助到更多新入門的朋友。

如今，隨著智能手機(jī)的快速發(fā)展，邊肖認(rèn)為許多網(wǎng)民對(duì)TFT液晶屏這個(gè)詞并不陌生，他們或多或少會(huì)在手機(jī)參數(shù)項(xiàng)中看到。TFT全稱為ThinFilmTransistor(膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，是指TFT液晶顯示屏上的每一個(gè)液晶象素點(diǎn)都由集成在后面的膜晶體管驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)高速、高亮度、高對(duì)比度的屏幕信息。TFT屬于有源矩陣液晶顯示器，而TFT液晶屏是大多數(shù)液晶顯示器之一。

TFT屏幕在液晶背面設(shè)置特殊光管，可以主動(dòng)控制屏幕上的各種獨(dú)立像素，這就是所謂的主動(dòng)矩陣TFT(activematrixTFT)的起源，可以大大提高反應(yīng)時(shí)間。一般來說，TFT的反應(yīng)時(shí)間相對(duì)較快，約為80毫秒，而STN為200毫秒，如果需要改進(jìn)，就會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。而且因?yàn)門FT是主動(dòng)矩陣LCD，可以記憶液晶的排列方式，電流消失后不會(huì)立即恢復(fù)原狀。

TFT顯示屏的顯示采用背透照射方式——假設(shè)的光源路徑不是像TNLCD那樣從上到下，而是從下到上。這種方法是在LCD背面設(shè)置一個(gè)特殊的光管，光源照射時(shí)通過下偏光板向上滲透。由于上下夾層的電極改為FET電極和共通電極，當(dāng)FET電極導(dǎo)通時(shí)，LCD分子的性能也會(huì)發(fā)生變化，可以通過遮光和透光達(dá)到顯示的目的。響應(yīng)時(shí)間大大提高到80毫秒左右。因?yàn)樗萒N-LCD對(duì)比度更高，顏色更豐富，屏幕更新頻率更快，所以TFT俗稱真彩。

與DSTN相比，TFT-LCD的主要特點(diǎn)是為每個(gè)像素配置一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)裝置。因?yàn)槊恳粋€(gè)像素都可以通過點(diǎn)脈沖直接控制。因此，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都是相對(duì)獨(dú)立的，并且可以連續(xù)控制。這種設(shè)計(jì)方法不僅提高了顯示屏的反應(yīng)速度，而且還能精確控制顯示灰度，這就是為什么TFT的顏色比DSTN更逼真。

TFT還改善了STN閃爍(水波紋)的模糊現(xiàn)象，有效提高了播放動(dòng)態(tài)圖像的能力。與STN相比，TFT具有優(yōu)異的色彩飽和度、恢復(fù)能力和較高的對(duì)比度，但缺點(diǎn)是功耗高，成本高。

TFT液晶屏技術(shù)特性

TFT技術(shù)是20世紀(jì)90年代發(fā)展起來的。采用新材料和新工藝的大規(guī)模半導(dǎo)體全集成電路制造技術(shù)是液晶、無機(jī)和有機(jī)薄膜電致發(fā)光(EL和OEL)平板顯示器的基礎(chǔ)。TFT是玻璃或塑料基板等非單晶片(當(dāng)然也可以在晶片上)通過濺射和化學(xué)沉積技術(shù)形成制造電路所需的各種薄膜，通過薄膜加工制造大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路(LSIC)。使用非單晶基板可以大大降低成本，這是傳統(tǒng)大規(guī)模集成電路向大面積、多功能、低成本方向的延伸。在大面積玻璃或塑料基板上制造控制像元(LC或OLED)開關(guān)性能的TFT比在硅片上制造大規(guī)模集成電路更難。對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的要求(凈化度為100級(jí))，對(duì)原材料純度的要求(電子氣體純度為99.9999985%)，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)設(shè)備的主要求超過半導(dǎo)體技術(shù)。

大面積。

20世紀(jì)90年代初，第一代大面積玻璃基板(300毫米×400毫米)TFT-液晶顯示器生產(chǎn)線投產(chǎn)。到2000年上半年，玻璃基板的面積已經(jīng)擴(kuò)大到680毫米×880毫米。最近，950毫米×1200毫米的玻璃基板也將投入運(yùn)行。原則上沒有面積限制。

集成度高。

用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率為XGA，含有數(shù)百萬像素。分辨率為SXGA(1280×1024)的16.1英寸TFT陣列非晶體硅的膜厚僅為50納米，TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技術(shù)的集成度、設(shè)備和供應(yīng)技術(shù)的要求和技術(shù)難度都超過了傳統(tǒng)的LSI。

功能強(qiáng)大。

TFT最初作為矩陣選址電路改善了液晶光閥的特性。高分辨率顯示器可以通過0-6V范圍的電壓調(diào)節(jié)(其典型值為0.2~4V)實(shí)現(xiàn)對(duì)象元的正確控制，使LCD實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的高分辨率顯示。TFT-LCD是人類歷史上第一個(gè)顯示質(zhì)量超過CRT的平板顯示器?，F(xiàn)在，人們開始將驅(qū)動(dòng)IC集成到玻璃基板上，TFT整體的功能更加強(qiáng)大，這是傳統(tǒng)的大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路無法比擬的。

低成本。

玻璃基板和塑料基板從根本上解決了大型半導(dǎo)體集成電路的成本問題，為大型半導(dǎo)體集成電路的應(yīng)用開辟了廣闊的應(yīng)用空間。

過程靈活。

激光退火技術(shù)除了采用濺射、CVD(化學(xué)氣相沉積)、MCVD(分子化學(xué)氣相沉積)等傳統(tǒng)工藝成膜外，還開始應(yīng)用于非晶膜、多晶膜和單晶膜。不但能做硅膜，還能做其它Ⅱ-v族和ⅲ-v族半導(dǎo)體膜。

應(yīng)用廣泛。

基于TFT技術(shù)的LCD平板顯示器是信息社會(huì)的支柱產(chǎn)業(yè)，也可以應(yīng)用于薄膜晶體管有機(jī)電致發(fā)光(TFT-OLED)平板顯示器的快速發(fā)展。

以上便是今天我們所要說的TFT液晶屏技術(shù)特性，有任何需求可以聯(lián)系我們。